Китайская академия наук (CAS) представила архитектуру транзисторов Gate-All-Around (GAA) с применением DUV-литографии (литография в глубоком ультрафиолете). Разработка может помочь китайской полупроводниковой отрасли выпустить новое поколение чипов без доступа к современным EUV-сканерам, поставки которых ограничены экспортным контролем. GAA-транзисторы считаются следующим этапом развития после FinFET. В такой конструкции затвор окружает проводящий канал со всех сторон, что позволяет точнее управлять током, снижать утечки и повышать энергоэффективность при уменьшении размеров элементов чипа. Главная особенность разработки — использование DUV-литографии вместо EUV. Хотя DUV остается более старой технологией, ее возможности можно расширять с помощью иммерсионной литографии и многократного формирования рисунка. Недостаток такого подхода — значительно большее число производственных операций (и, значит, более высокая стоимость и сложность изготовления). При этом сами разработчики и отраслевые эксперты подчеркивают важную деталь: новая архитектура не означает, что Китай получил полноценный 3-нанометровый техпроцесс на DUV. Речь идет лишь о возможности приблизиться к характеристикам более современных технологий по отдельным параметрам. Основное ограничение остается прежним. Создание современных чипов зависит не только от транзисторов, но и от формирования микроскопических контактов и металлических соединений между миллиардами элементов. Именно эти этапы считаются одним из самых сложных препятствий для производства передовых микросхем с использованием DUV.
Источник: IXBT — https://www.ixbt.com/news/2026/09/17/436499-kitai-razrabotal-gaa-tranzistory-dlia-proizvodstva-peredovyx-cipov-s-pomoshhiu-duv.html
Комментарии