Если ранее представители южнокорейской полупроводниковой промышленности оценивали отставание своих китайских коллег примерно в пять лет, то теперь разрыв на самом сложном направлении — памяти HBM — сократился до трёх, а в прочих вообще измеряется одним или двумя годами. По слухам, китайская CXMT уже тестирует пятое поколение HBM, которое известно под обозначением HBM3E, рассчитывая начать её массовое производство в следующем году. HBM3E всего на поколение отстаёт от HBM4 — памяти, которую южнокорейские Samsung, SK hynix и американская Micron Technology уже выпускают серийно. В то же время, считается, что CXMT массово выпускает HBM3, как утверждает Korea JoongAng Daily со ссылкой на представителей южнокорейской полупроводниковой отрасли. По словам корейских экспертов, китайская полупроводниковая промышленность демонстрирует высокие темпы прогресса, проделывая за год тот путь, который зарубежным конкурентам поддавался за три года. Большой внутренний рынок КНР, развитая система исследований и разработок сочетаются с государственной поддержкой, что в итоге и позволяет двигаться вперёд с такой скоростью. Не имея возможности получить передовые EUV-сканеры для производства микросхем с более тонкими литографическими нормами, китайские компании сосредотачиваются на совершенствовании технологий упаковки памяти и интеграции разнородных компонентов. По данным DigiTimes, китайская CXMT использовала технологию X-Stacking, которая применяется YMTC при выпуске 3D NAND, для производства памяти типа HBM. Методика сращивания двух кремниевых пластин позволяет сократить расстояния, преодолеваемые электрическими сигналами, повышая пропускную способность памяти и снижая уровень энергопотребления без перехода на использование EUV-оборудования. Продвинулась в близком направлении и Huawei Technologies, которая предложила «складывать чипы вдвое» и соединять половины между собой вертикальными каналами передачи информации.
Источник: 3DNews — https://3dnews.ru/1148510
Комментарии