Китайские производители памяти стремительно сокращают технологическое отставание от мировых лидеров. По оценке Корейской ассоциации полупроводниковой промышленности (KSIA), сейчас Китай отстает от Южной Кореи примерно на год в производстве NAND, на два года в DRAM и примерно на три года в самом сложном сегменте HBM. Еще недавно разрыв оценивался примерно в пять лет. Главную роль в этом процессе играют два крупнейших китайских производителя — YMTC, специализирующаяся на NAND, и CXMT, выпускающая DRAM. Быстрее всего Китай приближается к конкурентам в производстве флеш-памяти. Samsung и SK hynix начали переход к NAND с более чем 300 слоями в 2025 году, в то время как YMTC освоила 270-слойные чипы. В производстве DRAM отставание составляет около двух лет. Samsung и SK hynix раньше освоили DDR5, однако CXMT постепенно сокращает разрыв и уже выпускает LPDDR5X. Китайская компания также приступает к освоению следующего поколения мобильной памяти. С HBM ситуация сложнее. Высокоскоростная память используется прежде всего в ускорителях искусственного интеллекта, и здесь CXMT пока отстает примерно на три года. Компания уже начала пилотное производство HBM3E, но выход годных микросхем, согласно приведенным данным, составляет лишь около 25%. Одна из главных проблем — создание надежных вертикальных соединений между многочисленными слоями памяти.
Комментарии